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GaP晶體基片

簡要描述：磷化鎵（GaP）晶體基片

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間：2025-02-10
  • 訪  問  量：1592

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

磷化鎵(GaP)晶體基片  


技術(shù)參數(shù)：

晶體結(jié)構(gòu)：

立方         a =5.4505 ?

生長方法：

提拉法

密度：

4.13  g/cm3

熔點(diǎn)：

1480  oC

熱膨脹系數(shù)：

5.3 x10-6  / oC

摻雜物質(zhì)：

摻S              不摻雜

方向：

<111>or<100>     <100>or<111>

類型：

N                 N

熱傳導(dǎo)率：

2~8 x1017/cm3       4~ 6 x1016/cm3

電阻率W.cm

~0.03             ~0.3

 EPD (cm-2 )

< 3x105            < 3x105


產(chǎn)品規(guī)格：

晶體方向：<111>，<100>±0.5o ；

常規(guī)尺寸：dia2"x0.35mm ；dia2"x0.43mm；dia3"x0.3mm ；


標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝

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