GaAs晶體基片

簡要描述：砷化鎵（GaAs）晶體基片

產(chǎn)品型號：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-02-10
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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

砷化鎵(GaAs)晶體基片

技術(shù)參數(shù)：

單晶：	砷化鎵(GaAs)
摻雜：	None；Si；Cr；Te；Zn
導(dǎo)電類型：	SI；N；Si；N；P
載流子濃度cm-3：	/> 5x1017 /~2x1018 >5x1018
位錯(cuò)密度cm-2：	<5x105
生長方法及zui大尺寸：	LEC & HB ?3"

產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)晶向：<100>、<110>、<111>；

晶向公差：±0.05°

常規(guī)尺寸：5x5x0.5mm; 10x10x0.5mm;dia1"x0.5mm;

dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

拋光情況：細(xì)磨、單拋、雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A

注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級超凈室100級超凈袋真空封裝或單片盒裝

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